48GB 용량·열 저항 17% 개선…차세대 AI 인프라 공략
[소셜밸류=최연돈 기자] 고대역폭메모리(HBM) 시장 경쟁이 가열되고 있다. 삼성전자가 지난달 차세대 인공지능(AI) 메모리 제품인 HBM4E 샘플 공급을 시작한 데 이어 SK하이닉스도 샘플 공급에 나선 것이다. HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E 주도권 경쟁이 치열해질 전망이다.
SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.
이번 신제품은 기존 HBM4보다 성능과 전력 효율을 개선한 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율은 20% 이상 높였다. 이를 통해 AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능을 강화했다.
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| ▲SK하이닉스 HBM4E/사진=SK하이닉스 제공 |
HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계됐다. 회사는 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율 향상에 기여할 것으로 기대하고 있다.
SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 또한 구조 안정성을 높이고 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 적층한 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입해 회로를 보호하는 공정이다.
회사는 HBM3와 HBM3E, HBM4로 이어지는 양산 경험을 바탕으로 HBM4E에서도 고객 맞춤형 메모리 솔루션을 적기에 공급한다는 계획이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄책임자(CDO) 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
한편, SK하이닉스는 HBM3E에 이어 HBM4, HBM4E까지 HBM 제품 개발을 확대하며 AI 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다.
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