젠슨 황 "삼성이 우리를 위해 '그록3' LPU 칩 제조하고 있다" 언급
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▲삼성전자가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 고대역폭메모리 HBM4E를 업계 최초로 공개했다. 사진은 삼성전자 GTC 부스. /사진=삼성전자 제공
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[소셜밸류=최연돈 기자] 삼성전자가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E를 업계 최초로 공개했다. HBM4E는 그동안 업계 판도를 바꿀 전략 제품으로 주목 받아 왔다.
삼성전자의 이번 7세대 HBM 기술 공개로 인공지능(AI) 반도체 시장에서의 기술 경쟁이 다시 한 번 가열될 것으로 예상된다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아 연례 개발자 회의 'GTC 2026'에서 차세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개했다.
HBM4E는 올 하반기 샘플 출하를 목표로 하고 있다. 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원한다.
HBM4E는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 앞서는 수치다.
삼성전자는 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리(반도체 수탁생산)의 4㎚ 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발에 속도를 낼 방침이다.
삼성전자 측은 HBM4E의 성능에 대해 "메모리와 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 개발하고 있다"고 밝혔다.
삼성전자의 HBM4E 공개는 SK하이닉스나 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 부각시키려는 전략으로 풀이된다. HBM4의 양산으로 확보한 HBM 시장에서의 기술 우위를 이어가겠다는 것이다.
이와 함께 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 종합반도체기업(IDM)로서의 기술 경쟁력 우위를 강조했다. 영상을 통해 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층도 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.
특히 삼성전자는 전시회에서 엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) '루빈'에 탑재되는 HBM4를 비롯해 중앙처리장치(CPU) '베라'용 소캠(서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 'PM1763' 스토리지 등을 선보이며 이같은 장점을 부각시켰다.
이같은 삼성전자의 움직임에 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 'GTC 2026' 기조연설에서 삼성을 특별히 언급하며 감사를 표시했다.
황 CEO는 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"며 "지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다"고 말했다. 이 칩은 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈' 시스템에 탑재될 예정으로, 올해 하반기 중에 출하가 시작될 것이라고 언급했다.
한편 송용호 삼성전자 AI센터장은 17일 GTC 엔비디아 특별 초청 발표에 나서 엔비디아의 AI 인프라 혁신을 뒷받침하는 삼성전자 메모리의 '토털 설루션' 비전을 발표할 예정이다.
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